[科普中国]-场效应晶体管放大电路

利用场效应晶体管作有源器件的放大电路。场效应晶体管是20世纪60年代发展起来的半导体器件。它既有一般晶体管体积小、重量轻、耗电省和可靠性高等优点，又有远比一般晶体管高的输入阻抗。此外，由于MOS场效应晶体管组成的集成电路制造工艺简单、集成度高，因此发展迅速，应用日益广泛。

释义利用场效应晶体管作有源器件的放大电路。场效应晶体管是20世纪60年代发展起来的半导体器件。它既有一般晶体管体积小、重量轻、耗电省和可靠性高等优点，又有远比一般晶体管高的输入阻抗。此外，由于MOS场效应晶体管组成的集成电路制造工艺简单、集成度高，因此发展迅速，应用日益广泛。1

优缺点由于场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低的优点，在多级放大电路中，经常用作前置放大级。利用场效应晶体管的恒流特性，在放大电路中也常作恒流源用。

基本放大电路利用场效应晶体管的基本放大电路有三种，分别是共源、共漏、共栅放大电路。

(1)共源放大电路：是用得最广泛的一种电路，其中场效应晶体管是N沟道增强型MOS管。该电路有较大的电压增益、较大的输入电阻，但由密勒效应引起的输入电容太大，影响高频响应，常用作电压放大。

(2)共漏放大电路：又名源极跟随器，也是用得比较广泛的一种电路，其中场效应晶体管是N沟道耗尽型MOS管。该电路的输入电阻大，输入电容小，电压放大倍数小于1，常用作输入级以提高输入阻抗，或用作阻抗变换、缓冲电路。

本词条内容贡献者为:

张尉 - 副教授 - 西南大学