[科普中国]-限制边缘法生长

限制边缘法生长是指生长EFG的方法。通过浸在熔硅中的石墨模具的狭缝，靠毛线细管效应将熔液吸引到模具顶端，再用籽晶引出硅带来。模具顶端的尺寸起着规范硅带宽度和厚度的作用。

简介限制边缘法生长是指生长EFG的方法1。

过程通过浸在熔硅中的石墨模具的狭缝，靠毛线细管效应将熔液吸引到模具顶端，再用籽晶引出硅带来。模具顶端的尺寸起着规范硅带宽度和厚度的作用。

原理EFG法改进为拉制九面空心柱后，单炉面积产率已提高到160cm2/min，所做太阳电池的光电转换效率当面积为5×10cm2时平均为13%。高的能到15%2。

优点此法的优点是硅带的宽、厚易于控制。不足之处是高碳含量、SiC颗粒和与拉制方向基本上平行的晶界3。

本词条内容贡献者为:

邱学农 - 副教授 - 济南大学