在理想晶体中移动单一位错所需的临界切应力1。首先应要求出滑移面两边的两个面之间的错排能,然后考查当位错从平衡位置移到另一平衡位置时,错排能变化规律。
定义在理想晶体中移动单一位错所需的临界切应力1。
原理首先应要求出滑移面两边的两个面之间的错排能,然后考查当位错从平衡位置移到另一平衡位置时,错排能变化规律。Nabarro给出使刃型位错移动的临界应变力:
σ= 2μ/(1- γ)exp[-2πa/b(1-γ)]
式中μ为晶体的切变模量;γ为泊松比;a为滑移面面间距;b为伯格斯矢量的大小。可以看出位错宽度(a/1-γ)愈宽时σ愈小,若a≈b,γ=0.3,σ≈3.6X10μ,这个数值远比理想完整晶体求得的理论切变强度(μ/2π~μ/30)小2。
作用它定量地说明位错的易动性。其中(a/b)出现在指数函数中,(a/b)的数值越大σ就越小,这表明滑移通常在密排面上发生,因为晶体中密排面原子间距小(即b小)而面间距大(即a大)。这一结果与实际是相符的3。
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周敏 - 副教授 - 西南大学