Mobile DDR(也称MDDR、Low Power DDR或LPDDR)是DDR SDRAM的一种,专门用于移动式电子产品,例如手机等。
简介DDR内存从DDR、DDR2、DDR3发展到DDR4,频率更高、电压更低的同时却也让反应时间不断变大,改变着内存子系统。而DDR4最重要的使命是提高频率和带宽,每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,拥有高达4266MHz的频率,内存容量最大可达到128GB,运行电压正常可降低到1.1V~1.2V。
相对于DDR内存,MDDR具有低功耗、高可靠性的特点,目前韩国三星与美光科技(Micron Technology)掌握该项技术。AppleiPad,Samsung Galaxy Tab以及Motorola Droid X都使用LPDDR。
MDDR的运行电压(工作电压)相比DDR的标准电压要低,从第一代LPDDR到如今的LPDDR4,每一代LPDDR都使内部读取大小和外部传输速度加倍。其中LPDDR4可提供32Gbps的带宽,输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps,电压降到了1.1V。至于最新的LPDDR4X,与LPDDR4相同,只是通过将I/O电压降低到0.6V而不是1.1V来节省额外的功耗,也就是更省电。1
LPDDR2一个新的JEDEC标准JESD209-2F定义了low-power DDR接口标准。它与DDR1或DDR2 SDRAM并不兼容,但类似:
LPDDR2-S2: 2n prefetch memory (像 DDR1),
LPDDR2-S4: 4n prefetch memory (像 DDR2),或
LPDDR2-N: 非易失性(NAND)内存。
低功耗状态基本相似,LPDDR,一些额外的部分数组更新选项。
LPDDR2也有一个低电平有效的chip select(高时,一切都是NOP)和时钟(clock)打开CKE信号,操作像SDRAM。
如果芯片被激活(active),它冻结(freeze)到位。
如果该命令是一个NOP(CS低或CA0 - 2 = HHH),芯片空闲。
如果该命令是一个更新命令(CA0 - 2 = LLH),芯片进入自更新状态。
如果该命令是一个突发终止(CA0 - 2 = HHL),芯片进入深断电状态。 (完全复位序列时,需要离开。)1
LPDDR32012年5月,JEDEC公布JESD209-3低功耗记忆设备标准。比起LPDDR2,LPDDR3提供更高的数据传输速率、更高的带宽与功率效率。LPDDR3可达到1600 MT/s的数据传输速率,并利用关键的新技术write-leveling、command/address training、选择性ODT(On Die Termination)与低I/O电容。LPDDR3支持PoP封装(package-on-package)与离散封装两种形式。2
LPDDR42013年3月14日,JEDEC固态技术协会举办会议,探讨未来移动设备的新标准,如LPDDR4。2
本词条内容贡献者为:
李嘉骞 - 博士 - 同济大学