[科普中国]-低温钝化法

低温钝化法（low temperature passivation）简称LTP。低温钝化技术是实现表面钝化的一种方法。低温钝化技术的特点是低温处理。即在400-700℃不引起杂质再分布的低温下重新在硅表面上生成钝化膜。

工艺过程低温钝化法工艺过程大致如下：

(1)扩散工序完成后，在进行低温钝化之前，须将全部作为扩散掩膜用的高温生长的SiO2层腐蚀掉。

(2)对硅片重新进行物理化学处理。

(3)以四乙氧基硅烷作源，用热分解淀积法在750℃下重新在硅表面上生成低温SiO2。如果要制成多层介质钝化膜，则这层SiO2膜可作为第一层。

(4)用化学气相淀积或淀积金属氧化物的方法在SiO2上形成低温玻璃层(铅玻璃或磷玻璃)作为第二层。

(5)有时，为提高加工精度，在玻璃层上再制备一层和光刻胶附着性良好的低温SiO2膜。

上述全过程都是在较低温度下进行的，故称为低温钝化技术。

特点低温钝化技术的优点是：温度低，淀积时间短，对芯片的热影响较小，不易引起杂质的再分布和污染，在形成钝化膜时，不引起半导体表面态的变化，选择适当的玻璃层能较容易地避免热应力的产生，可以制成多层结构的钝化膜，并通过改变各层玻璃的成分比，能使表面态密度在较宽的范围内改变等等。1

本词条内容贡献者为:

王宁 - 副教授 - 西南大学