[科普中国]-3D磁存储器

3D磁存储器，即3D XPoint（发音three dee cross point），是一种由英特尔和美光科技于2015年7月宣布的非易失性内存（NVM）技术。英特尔为使用该技术的存储设备冠名Optane，而美光称为QuantX。它通常被认为是一种基于相变化内存的技术，但也有其他可能性被提出。[2]

该种技术的材料和物理细节尚未公布。比特存储基于bulk电阻的变化，结合可堆叠的跨网格数据访问阵列。

简介3D XPoint（发音three dee cross point）是一种由英特尔和美光科技于2015年7月宣布的非易失性内存（NVM）技术。英特尔为使用该技术的存储设备冠名Optane，而美光称为QuantX。它通常被认为是一种基于相变化内存的技术，但也有其他可能性被提出。

该种技术的材料和物理细节尚未公布。比特存储基于bulk电阻的变化，结合可堆叠的跨网格数据访问阵列。

美光的存储解决方案副总裁说：“3D Crosspoint将是DRAM价格的一半左右，但会比NAND闪存贵4到5倍。”相较NAND闪存，英特尔宣称其有10倍的低延迟，3倍写入耐久，4倍每秒写入、3倍每秒读取的性能提升，以及30%的功耗。1

背景与阐述3D XPoint的开发始于2012年。英特尔和美光之前已开发了其他非易失性相变化内存（PCM）技术；美光Mark Durcan说：3D XPoint架构不同于以前提供的PCM，并为闪存单元的选择器和存储部分采用硫族化物材料，从而比传统的PCM材料（例如GST）更快、更稳定。

截至2015年，英特尔或美光尚未提供该技术的完整细节，尽管该项技术已经声明“不基于电子”。3D XPoint已经被声明使用电阻并且是比特可寻址。类似Crossbar公司正在开发的可变电阻式内存，但3D XPoint存储的物理结构不同。3D XPoint的开发商表示其基于“bulk材料的电阻变化”。英特尔首席执行官Brian Krzanich回应了对XPoint材料的提问，称切换是基于“bulk材料性能”。英特尔已表示3D XPoint不使用相变或忆阻器技术。

根据最近的一篇文章，“似乎没有其他供应商有能比拟XPoint性能和耐用性的类似的电阻式内存/相变存储器技术。”

各个数据单元不需要晶体管，因此封装密度将是DRAM的4倍。2

产品在最初，由IM Flash TechnologiesLLC（英特尔-美光合资）运营的位于犹他州李海的晶圆厂在2015年生产了少量128 Gbit芯片，其堆叠两个64 Gbit平面（plane）。2016年初，IM Flash首席执行官Guy Blalock表示，芯片批量生产仍需约12至18个月。

2015年中期，英特尔宣布基于3D XPoint技术的Optane品牌，预计每比特价格将高于NAND但低于DRAM，具体仍取决于最终产品。

2016年早期，IM Flash宣布其首个固态硬盘世代将达到9微秒潜伏时间、95000IOPS吞吐量。2016年英特尔开发者论坛上演示的PCI Express（PCIe）140GB开发板在基准测试方面显示了相较于PCIe NAND SSD 2.4-3倍的改进。

2017年初，英特尔公布了Optane品牌的中文名——闪腾，3月28日的发布会上，闪腾更名为傲腾。产品会有固态硬盘和内存两种方式。

3月19日，英特尔发布了傲腾固态硬盘——面向企业级数据中心的“Optane SSD DC P4800X”。3月28日，英特尔发布了傲腾内存（Intel Optane Memory）。3

参见混合存储立方体

本词条内容贡献者为:

张磊 - 副教授 - 西南大学