稀磁性半导体是指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素取代后形成的磁性半导体,因兼具有半导体和磁性的性质,即在一种材料中同时应用电子电荷和自旋两种自由度,因而引起广泛关注,目前尚处于研究阶段。1
简介稀磁半导体是一部分金属离子被磁性离子 (过渡元素及稀土元素离子)取代的化合物半导体。
分子式以 A1-xMxB表示,由普通化合物半导体 AB和磁性半导体MB组成,其中磁性离子M无规则地占据A的子格点。x≤0.36为闪锌矿型,0.30
稀磁性半导体是指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素取代后形成的磁性半导体,因兼具有半导体和磁性的性质,即在一种材料中同时应用电子电荷和自旋两种自由度,因而引起广泛关注,目前尚处于研究阶段。1
简介稀磁半导体是一部分金属离子被磁性离子 (过渡元素及稀土元素离子)取代的化合物半导体。
分子式以 A1-xMxB表示,由普通化合物半导体 AB和磁性半导体MB组成,其中磁性离子M无规则地占据A的子格点。x≤0.36为闪锌矿型,0.30