乱层结构(tubostratic stacking)是指当有机物在惰性气氛中加热升温时,氢和其他一切非碳元素不断逸出,具有sp2杂化轨道的碳原子不断增多,通过环化、交联、芳构化及缩聚等反应形成了许多碳六员换网平面1。
简介乱层结构(tubostratic stacking)是指当有机物在惰性气氛中加热升温时,氢和其他一切非碳元素不断逸出,具有sp2杂化轨道的碳原子不断增多,通过环化、交联、芳构化及缩聚等反应形成了许多碳六员换网平面1。
碳六员环网平面碳六员环网平面平面逐渐加大,并开始相互平行,等间距地堆垛,但各网平面上的碳原子还不具有石墨晶体中呈AB AB......堆垛序列的规律性,即尚未达到三维有序状态,瓦伦(Warren)将这样的结构称为乱层结构(见图1)2。
结构在乱层结构中,由于两相邻碳六员环网平面上的碳原子彼此相斥。因此,两相邻层面间的距离(统计平均值)d002比石墨晶体结构中的大,躲在0.343-0.346nm之间。弗兰格林(Franklin)认为:作为特定结构的反映,将乱层结构的d002值定为0.344nm。实际上有比此值更大的碳素材料。此外乱层结构中碳六员环网平面的平均尺寸和堆垛厚度都比石墨晶体结构中的小3。
本词条内容贡献者为:
石季英 - 副教授 - 天津大学