[科普中国]-叠栅雪崩注入

光擦只读存储器

光擦只读存储器(EPROM)是一种可以重复擦写的只读存储器。根据结构可分为浮动栅型MOS和叠栅雪崩注入型MOS两种类型。擦除时，用紫外线照射芯片10～20min，即可擦除全部内容；写入时，根据不同类型的MOS，分别加入所需要的电压即可写入信息。EPROM的擦除/写入，必须是全部擦除/写入，哪怕整个芯片上只错一位也必须将其从主板上拨下擦掉后再重写。2

EPROM分类浮动栅型MOS浮动栅型MOS工作原理如下：

1、写1

浮动栅型MOSEPROM为全0芯片。当在其存储单元的源与漏间加上50V左右的电压时，此管会引起雪崩．由于遂道效应，电子注入到浮动栅上。当浮动栅上聚积的电荷足够多时，源漏导通，该存储单元变为1。由于浮动栅处于四周绝缘状态，其电荷不会丢失，故使该存储单元的数据不会丢失。

2、擦洗

用紫外线照射，可擦去所存的数据。当芯片受到紫外线照射时，可释放掉浮动栅上所积存的电荷，使各存储单元恢复到原始状态。

叠栅雪崩注入型MOS叠栅雪崩注入型MOS工作原理如下；

1、写1

在控制栅上加正电压，会在结表面形成很强的电场，故在源与漏之间加上较低的电压，便可发生雪崩效应，使电子飞快地注入到浮动栅上。浮动栅上的负电荷，使晶体管导通，该存储单元变为1。

2、擦洗

用紫外线直接照射氧化膜，使浮动栅上的电子因获得足够能量而飞出浮动栅，晶体管又恢复到截止状态，存储单元又回到0态。3