[科普中国]-砷化镓

砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。

砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

基本信息中文名称：砷化镓

英文名称：gallanylidynearsane

英文别名：EINECS 215-114-8;Gallium monoarsenide;arsanylidynegallium;GALLIUM ARSENIDE;

CAS号：1303-00-0

分子式：AsGa

分子量：144.676003

安全信息符号：GHS08

信号词：危险

危害声明：H350; H372

警示性声明：P201; P308 + P313

包装等级：II

危险类别：6.1

海关编码：2853009022

危险品运输编码：UN 1557 6.1/PG 2

WGK Germany：3

危险类别码：R23/25

安全说明：S20/21; S28; S45; S60; S61

RTECS号：LW8800000

危险品标志：T; N3

主要特性

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