电子倍增管是一个能倍增入射电荷的的真空侦测器。一个高速的带电粒子,可产生二次电子,再透过适当的形状与电场的安排,产生一连串的二次电子来倍增讯号,最后到达阳极。
电子倍增管原理电子倍增管有一个高速的带电粒子,如电子和离子撞击侦测器表面时,可产生二次电子;再透过适当的形状与电场的安排,产生一连串的二次电子来倍增讯号,最后到达阳极。通常一个电子加速撞极侦测器表面可以产生一到三个二次电子,多次撞击使得电子数目倍增,其灵敏度相当高,可以用来侦测粒子的数目。 电子倍增管通常被用来侦测离子;也可以侦测光子,由光电效应产生的光电子来触发。另一种侦测光子的元件,光电倍增管里,其二次电子是由一连串的电极,称二次发射极,来倍增。此二次发射极为分离式的,通常每个二次发射极的电位差在 100 到 200 伏特,用来加速电子到下一个二次发射极,最后到达阳极。光电倍增管可在常压下使用,而电子倍增管是设计在高真空环境下使用。
电子倍增管运作方式电子倍增管一般是采用连续式的二次发射极。这是因为此电极表面的高电阻,使得二次电子和加速电场的分布可以组合在同一个元件里,而不需要分开。 通常为漏斗状,材料为镀上一层半导体薄膜的玻璃所构成。另一种平面二维的侦测器,称微通道板,也是运用相同的原理。有别于微通道板有上百万个微通道,电子倍增管使用单一个通道。
通道电子倍增器通道电子倍增器(Channel Electron Multiplier,CEM)是一种连续的电阻管,如下图所示,管子内壁经涂敷或其他处理,内壁表面电阻很大,为l09n量级的导电层,并且二次电子发射系数δ>3。工作时管子两端加直流电压,如1000V,管内建立了均匀电场。入射电子进入CEM的低电位端后,与管壁内表面相撞并发射出二次电子,这些电子被管内电场沿轴向加速,从场中获得足够高能量后又与管壁相撞并产生更多的二次电子,这个过程被多次重复,最后在高电位端输出增益达105的电子束。
制作CEM材料应满足下列要求:
(1)大的二次电子发射系数,一般δ>3。
(2)合适的均匀电阻层,以109Ω量级为最佳。
(3)化学稳定性好,蒸气压低。
目前使用的材料有两种:高铅玻璃、陶瓷半导体。
高铅玻璃:拉制成管后,在玻璃内表面烧H还原,生长一层厚10nm的单晶Pb或Pb0的n型半导体膜,此膜δ>3,电阻为108~1010Ω,化学稳定性好,是目前使用最多的一种材料。
陶瓷半导体:BaTiO3或BaZnTiO3陶瓷半导体在高温下烧结而成,它们具有耐轰击、耐烘烤、有正的温度系数和寿命长等优点;但它可塑性差,成形困难,使用时为得到相同增益所加的工作电压要比高铅玻璃高得多。
为了传送和增强图像,需要很细很细的通道成束,切片加工制成微通道板,简称MCP,它有几十万个微通道电子倍增管,如下图所示。由于图像分辨率的要求,单通道直径为6~10μm。1
电子倍增管应用最常用的检测器是电子倍增管,原理和光电倍增管很相似。一定能量的离子打到电子倍增管电极表面,产生二次电子,二次电子又经多级倍增放大,然后输出到放大器。信号经放大后由计算机处理,储存或打印出报告。
电子倍增管被广泛的运用在各种质谱仪里,用来侦测被离子化并通过分析器后的离子。通常质谱仪里都有电子倍增管和法拉第杯。在讯号很强时,使用法拉第杯;而讯号微弱时,使用电子倍增管。此外,电子倍增管也应用在电子显微镜,表面分析,x射线光电子能谱等多种需要侦测微量离子或电子的分析仪器里。2
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王沛 - 副教授、副研究员 - 中国科学院工程热物理研究所