高阻抗、抗电磁干扰锰锌铁氧体电子材料介绍

高阻抗、抗电磁干扰锰锌铁氧体电子材料介绍

在电子信息时代，随着卫星通信、移动通信、计算机应用等的高速发展，电磁干扰（EMI）在军事和民用电子信息领域的影响越来越严重，对公共环境和人身安全以及信息保密造成了很大的危害。解决或降低电磁污染和提高电子设备抗EMI能力的有效办法是采用电磁兼容（EMC）设计，其中需用到大量抗EMI材料，即高阻抗材料。随着各国有关电磁兼容法律法规的健全，宽频抗EMI材料铁氧体磁芯需求量与日俱增。

由于电子设备的小型化、高频化的发展，迫切希望能在高频下有高磁导率的材料，一般MnZn铁氧体均采用过铁配方，且在还原气氛中烧结冷却，故尖晶石结构中有较多Fe2+的存在，Fe2+-Fe3+间的电子迁移使得电阻率急剧降低，很难适应1MHz以上频率的使用。降低Fe2+含量的最直接的方法就是采用缺铁配方，即主配方中Fe2O3摩尔百分含量不超过50%，贫铁MnZn铁氧体材料仅日本一批学者进行过相关研究，NiZn铁氧体有多空性及高电阻率（通常可达104Ω·m以上，且在一定的配方与工艺条件下可以使材料避免畴壁位移驰豫与共振，使得使用频率较高、频带宽，适用于作高频软磁材料。由于NiZn铁氧体磁导率很难做的高，其低频阻抗也就相对较低，而MnZn铁氧体如果采用缺铁配方，就有可能抑制Fe2+的生成，从而提高电阻率，并且在1MHz以上频率有高的磁导率。