掌握核心技术：纯国产内存条横空出世

2020年6月1日，搭载合肥长鑫自主研发的DDR4级别颗粒的笔记本DRAM内存条在网上商城上架，有8GB及16GB两种容量选择。8GB容量版售价228元，16GB版售价428元，并且终身质保。这款内存条从晶元到封装全是纯正国产制造，代表了我国已经在掌握内存颗粒核心技术的基础上实现了内存条的产品化和商业化。

之前的数年时间里，内存条在各种电脑部件中的价格一直非常坚挺，其中 8GB内存条曾经达到900元的高价。出现这种情况的主要原因是全球内存厂商数目有限，且能够生产DRAM内存芯片（颗粒）的上游玩家更是集中在三星、SK海力士和美光三家，它们合计占据了全球95%的市场份额。

纯国产内存条上架前后，几大传统内存厂商立刻调低售价，降价幅度之大堪称前所未见。网友们也是发出了如下调侃：“天下苦内存久矣”“降到200元、主板全插满”“这下（各大传统厂商）厂房不着火了，也不闹水灾了”。

纯国产内存条的上市销售，在目前复杂的国际产业竞争环境下无疑是让国人倍感欣慰的消息。合肥长鑫于2016年5月由合肥市政府和国内NOR Flash龙头兆易创新共同创建，其中合肥市政府占据大部分的股权。合肥长鑫项目总投资超过2000亿元人民币，是有史以来安徽省单体投资最大的工业项目。也就是说，从合肥长鑫创立到上市第一块内存产品，整整花去了接近4年的时间。这里不得不夸奖一下合肥市政府的魄力。从白色家电到面板显示到内存芯片业，即便面对制造业较长的回报周期，合肥市政府依然坚持走工业立市的道路，而且成功地发展了一系列高科技产业链。

众所周知，由于中国在半导体领域没有先发优势，我们除了不得不投入高额的研发费用，还要遭受国外厂商的打压。特别是在突围中还要解决与已有国外专利技术冲突的问题。合肥长鑫的DRAM产品采用了与美光等厂商不同的技术路线图，很好地规避了可能发生的专利诉讼。

DRAM内存的原理是通过充放电速度很快的微型电容来存储电荷，通电中不断刷新，断电之后便会清空数据。所以，DRAM的功耗相对Flash芯片大得多，容量相对也更小，但速度非常快。当电子设备在运行时，硬盘中的数据先传输到DRAM中，DRAM再将数据传输到CPU中进行处理。所以说，DRAM是连接硬盘与CPU的信息高速公路。

纯国产内存的制造工艺取得长足进步（图片来源视觉中国）

合肥长鑫量产的DRAM产品性能到底如何呢？从公开的资料来看，合肥长鑫的DRAM采用了10纳米级工艺，具体应该属于第一代10纳米级工艺，等同于三星2017年、海力士和美光2018年时期的工艺水平。资料显示，合肥长鑫准备在2021年达到第二代10纳米级工艺的技术节点，这样与国际大厂在工艺上的距离可以缩短到1年左右。

至于产品的具体性能，从诸多网站上的网友评测来看，虽然长鑫生产的DRAM芯片默认频率是2666兆赫，但实际上经过超频，完全可以达到3500兆赫左右。虽然距离最顶级的美光（能够超频到4500兆赫）DRAM还有一些距离，但由于内存频率对性能的影响很小，长鑫的DRAM内存满足正常办公、游戏以及科研的需求将不在话下。能够推出完全够用的商用内存产品，意味着合肥长鑫完全有能力直接和三星、海力士以及美光等几大内存巨头在消费电子市场上进行竞争。

合肥长鑫的DRAM顺利量产意义非常重大，产品具备的市场竞争力也出乎很多人的预料，但高兴之余还是要保持冷静。首先，2020年已经是DDR4型内存的生命末期了，2021年Intel和AMD就准备推出支持DDR5的主板芯片组。几大竞争对手中，三星已经量产了DDR5级别的DRAM，美光也在小规模量产阶段，而合肥长鑫目前只具有DDR4产品线。不过，根据公开的技术路线图来看，合肥长鑫也在研发DDR5级别的DRAM，并且DDR6也在未来的规划当中，相信在未来的一两年内应该也可以看到合肥长鑫的DDR5产品问世。其次，合肥长鑫目前的产品线还较为单一，比如针对GPU所用的DRAM芯片，合肥长鑫还没有推出合适的产品。

总的来说，合肥长鑫成功量产主流规格的DDR4级别存储芯片，并且以完全商品化的形态上市销售，对我国的芯片业有重大的意义。

内存芯片都有哪几种主要类型

DRAM、NOR Flash以及NAND Flash是3种主流的存储芯片。合肥长鑫、兆易创新 和长江存储3家厂商分别以生产上述3种类型的存储芯片为主。其中，合肥长鑫生产 的DRAM就是我们所说的内存，后两者是最常见的两种闪存，三者都应用在PC、手机、服务器以及大型计算机上。

NORFlash和NAND Flash主要用于存储数据，也就是通常所说的闪存盘或者固态硬盘SSD。NOR Flash与NANDFlash相比，虽然容量较小，但读取速度快，所以大量 应用在汽车、蓝牙耳机等对容量大小需求低的设备上。而NANDFlash最大的特点就是大容量，目前国产的长江存储已经量产64层的3DNAND Flash芯片，并于2020年4 月宣布成功研发128层芯片，单颗容量可达1.33TB。