1910年2月13日 晶体管发明人肖克利诞生新华网 2016-08-10 |
威廉·肖克利
1910年2月13日,被称为“晶体管之父”的威廉·肖克利(William Shockley)出生于英国伦敦。
他3岁随父母举家迁往美国加州。从事矿业的父母从小向他灌输科学,加上中学教师斯拉特的熏陶,他考入了加州理工学院,后进入麻省理工(MIT)获得固体物理学博士学位。1936-1955年,担任贝尔实验室晶体管物理部主任,主要负责技术工作。1955-1963年,在硅谷创办肖克利半导体实验室。1963年开始,担任斯坦福大学工程科学教授。
二战结束后,贝尔实验室开始研制新一代的电子管,具体由肖克利负责。1947年圣诞节前两天的一个中午,肖克利的两位同事沃尔特·布莱登(Walter Brattain)和约翰·巴丁(John Bardeen),用几条金箔片,一片半导体材料和一个弯纸架制成一个小模型,可以传导、放大和开关电流。他们把这一发明称为“点接晶体管放大器”(Point-Contact Transistor Amplifier)。1951年,他领导研究小组研制出第一个可靠的结型晶体管。晶体管具有很大的潜力,它与电子管不同,不需要预热时间,不会产生热量,不会烧坏,也不会漏气和爆裂。晶体管比电子管更快、更小,为小型计算机奠定了基础。这个用来代替真空管的电子信号放大元件,成为电子工业的强大引擎,被媒体和科学界称为“20世纪最重要的发明”。
肖克利一生获得了90多项发明专利。因对半导体的研究和发现了晶体管效应,肖克利与巴丁和布拉顿分享了1956年度的诺贝尔物理学奖。
责任编辑:lijia
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