斯格明子霍尔效应被发现

　　俄罗斯远东联邦大学科研人员奥列格·特列季亚科夫作为俄日美德国际研究团队的一员，发现了斯格明子霍尔效应，这使得制造更高速、廉价、可靠、非易失性的电子储存器成为可能。相关成果发布在《自然·物理学》杂志上。

　　特列季亚科夫称，斯格明子可能是未来磁存储技术的基础。现代硬盘的磁畴最少为100纳米，而斯格明子的间距可小至几纳米。此外，以斯格明子为基础的内存甚至可在缺少电源的情况下保存信息。科学家们正在基于斯格明子研发新的数据储存和处理系统，其造价更低、速度更快、更可靠，未来可用于生产电脑、智能手机以及能够长时间工作无需充电的传感器。