2011年4月17日 相变存储器芯片研制成功

　　2011年4月17日，我国首款拥有自主知识产权的相变存储器芯片研制成功。

　　相变存储器，简称PCM，相比于传统存储器利用电荷形式进行存储，相变存储器主要利用可逆相变材料晶态和非晶态的导电性差异实现存储，被称为是“操纵原子排列而实现存储”的新型存储器。

　　这一存储器具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、多级存储等特点，在数据读写速度、可擦写次数、读取方式、工作电压以及工艺兼容性等各项性能指标上有着独特的优势，使得它拥有比其他存储器更广阔的应用空间和更好的发展趋势，有望替代目前被公众熟知的传统存储技术，如应用于U盘的可断电存储的闪存技术，又如应用于电脑内存的不断电存储的DRAM技术等等。

　　自从在2001年之后，国内外众多科研人员都投入大量精力、资源参与研发。2009年9月，采用60nm工艺生产处了512Mb的PCRAM芯片，之后在2010年4月又推出了容量为128Mb的名为Omneo系列的PCRAM。之后，世界各国针对相变存储器的可靠性提高、功耗的减少和缩减成本上进行了大力的研发，极大地促进了相变存储器的发展。

　　此次，我国研究的相变存储器（PCRAM）芯片不仅综合了当时半导体存储器市场上主流的DRAM、SRAM和FLASH等存储器的优良特性，而且还具有微缩性能优越、非挥发性、循环寿命长、数据稳定性强、功耗低等诸多优势，被认为是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一。这款芯片的自主研制成功，使得我国的存储器芯片生产真正摆脱了国外的技术垄断，为之后的产业化发展奠定了坚实的技术基础。

　　作者： 科技名家·里程碑