[科普中国]-电子束诱导电流法

电子束诱导电流法是指当高能电子束照射到有势垒的半导体样品上时。产生大量电子空穴对，在势垒区两边的一个扩散长度内产生的少数载流子，可扩散到势垒区产生电荷积累，称为电子束诱导电势。

概念电子束诱导电流法是指当高能电子束照射到有势垒的半导体样品上时。产生大量电子空穴对，在势垒区两边的一个扩散长度内产生的少数载流子，可扩散到势垒区产生电荷积累，称为电子束诱导电势。

作用在外电路阻抗很小时，可得到电子束诱导电流像(EBIC)，用此方法，不仅可测量半导体材料的物理参数，如电阻率、少子扩散长度和寿命。还可观察材料中的电活性缺陷和杂质条纹，如硅和砷化镓中位错的ERIC像有黑点带亮环和无亮环两种，高掺碲的砷化镓中碲沉淀的微缺陷呈现小黑点1。

特点生长条纹的EBIC像中高掺杂区在高阻样品中呈亮区，在低阻样品中呈暗区。外延生长中产生的层错，其EBIC像呈一定形状的明亮图形，还可以观察硅单晶中A型旋涡缺陷。

要求测量中电子束加速电压必须使电子束在样品中穿透深度Rp大于p-n结结深。 EBIC像的分辨率近似为1. 4Rp(约1μm)。电子束流增大使像的衬度增大，但分辨率下降，因此应尽量选用低束流1。

本词条内容贡献者为:

邱学农 - 副教授 - 济南大学