概述
用这样的基本电路组成的存储矩阵若输出为全1时,则加规定高压(在漏极与基片之间)及编程脉冲就可使某EPROM管导通,使输出为0。由这样的EPROM存储电路做成的集成电路块上方有一个石英玻璃窗口,当用紫外线通过这个窗口照射时,所有电路中的浮空晶栅上的电荷会形成光电流泄漏走,使电路恢复起始状态,从而把写入的信号擦去。这样经过照射后的EPROM就可以实现重写。由于写的过程很慢,所以,这种电路在使用时,仍是作为ROM使用,EPROM允许用户多次编程。
半导体ROM与半导体RAM一样,其容量是可以扩展的。扩展容量包括位扩展和字扩展。1
位扩展把两片ROM的地址线和片选线并联起来,对于某一组地址码。在两片ROM中各有一个字被选中,用它们可拼接成2倍字长的字。在这里所举的例子是用2片32字×8位的ROM扩展成32字×16位的ROM,同样,可以利用此方法构成N位字长的只读存储器。1
宇扩展字数的扩展可以利用外加译码器控制j占片的片选(CS)输入端来实现。图是用字扩展方式将4片256×8位的RAM扩展为1024×8位RAM的系统框图。图中,译码器的输入是系统的高位位址A9、A8,其输出是各片RAM的片选信号。若A9A8=01,则RAM(2)片CS=0,其余各片RAM的CS均为1,故选中第二片。只有该片的信息可以读出,送到位在线,读出的内容则由低位地址A7~A0决定。显然,4片RAM轮流工作,任何时候,只有一片RAM处于工作状杰,整个系统字数扩大了4倍,而字K仍为8位。2