电子阻止本领是原子电子对重带电粒子损失的能量称电子阻止本领。
简介电子阻止本领是离子注入技术中的一个术语。
对半导体等衬底进行离子注入时,进入衬底中的较高能量的离子,与衬底中的原子核和电子都将进行一系列的碰撞而损失能量,并最后停留在衬底内,形成一定的分布。这实际上就表明衬底中的原子核和电子都对注入的离子具有阻止作用。其中电子阻止作用的能力大小可用S(E)=dE/dx来表征[E是电子在某点x处的能量],这就是电子阻止本领。S(E)与入射离子的速度成正比,即有S(E)∝E。因此,对于注入能量越高的离子,电子阻止本领也就越大;注入离子的质量越小,电子阻止本领相对于原子核的阻止本领也将越强。
阻止本领阻止本领是带电粒子在单位路程上电离损失能量的量度。原子电子对重带电粒子损失的能量称电子阻止本领;原子核对重离子能量的损失称核阻止本领。阻止本领是描述带电粒子损失能量程度的量度,其量度单位是兆电子伏/米(Mev/m)1。
相关名词总线阻止本领总线阻止本领符号为S,St;对于一个沿x方向运动的能量为E的带电电离粒子,S=-dE/dx。此量还可称为阻止本领,它包括碰撞损失和辐射损失两部分。核反应和电离辐射的量。SI单位:J/m(焦〔耳〕每米)。并用的非SI单位:eV/m(电子伏每米)。1eV/m=(1.60217733±0.00000049)×10-19J/m。某种物质的总线阻止本领对参考物质的总线阻止本领的比值称为相对线阻止本领2。
总原子阻止本领总原子阻止本领符号为Sa;Sa=S/n。式中:S为总线阻止本领;n为物质的原子数密度。核反应和电离辐射的量。SI单位:J·m2(焦〔耳〕二次方米)。并用的非SI单位:eV·m(电子伏二次方米)。1eV·m2=(1.60217733±0.00000049)×10-19J·m22。
总质量阻止本领总质量阻止本领符号为Sm;总线阻止本领除以物质的质量密度。Sm=S/ρ。核反应和电离辐射的量。SI单位:J·m2/kg(焦〔耳〕二次方米每千克)。并用的非SI单位:eV·m2/kg(电子伏二次方米每千克)。1eV·m2/kg=(1.60217733±0.00000049)×10-19J·m2/kg。某种物质的总质量阻止本领对参考物质的总质量阻止本领的比值称为相对质量阻止本领2。
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李雪梅 - 副教授 - 西南大学