介绍
加速电压是扫描电镜技术领域的一个重要术语。加速电压的范围为0.2~30KV,一般高压指用20KV,低压指小于10KV 。
加速电压的选用,取决于样品的质量(包括导电性)、图像质量的要求和倍率等情况。当样品导电性好时,可选用高加速电压,这时电子束能量大,激发的二次电子、背散射电子数量就多,有利于改善图像的分辨率、信噪比和反差,对高倍观察有利。但加速电压过高会产生不利因素,我们一般选择20kV的加速电压。当样品导电性差时,又不便喷碳、喷金,还要尽可能将样品原来的面貌保存下来,取得高质量的扫描照片。而这类样品容易产生充、放电效应,样品充电区的微小电位差会造成电子束散开,使束斑扩大,从而损害分辨率。邻近点的负电场又会使二次电子的轨迹产生偏离,从而降低清晰度。同时,表面负电场对入射电子产生排斥作用,改变了电子的入射角,从而使图像不稳定,产生移动、错位,甚至使表面细节根本无法呈现,加速电压越高这种现象越严重,此时选用低加速电压(35的元素的样品:仍选20kV, 利用L或M线进行分析。
选择Eo时必须考虑空间分辨率。在保证合理的激发特征谱线时,Eo应该选用较小的值。空间分辨率与过压比有关,过高的加速电压使电子束在样品内穿透较深,横向扩散较大,使空间分辨率明显变差,同时出射的X射线在样品中吸收衰减程度也会增加。1
加速电压的影响FESEM的加速电压一般在几百V到几十千V之间选择。加速电压的高低决定了入射电子能量的高低,从而影响了入射电子扩展范围。低加速电压时,入射电子能量较低,其与样品的作用深度较浅,不仅可以提高空间分辨率,也可以减少对样品的损伤; 其次,低加速电压时二次电子的发射系数上升,背散射的发射系数降低,二次电子来自于入射区附近最表层,更能反映样品最表层的微观形貌,有利于样品表层相组成的观察; 此外,低加速电压可以有效地减少荷电现象,更易观测不导电样品。高加速电压时,入射电子能量较高,且能量分布范围较窄,因此高加速电压时,图像分辨率较;其次,高加速电压时,电子束作用深度较深,相对于其激发的信号来源深度较深,在使用二次电子探测器检测时,有利于忽略样品表面有机污染物信号,在使用背散射探测器检测时,有利于样品内部相组成的观察。
低加速电压下,入射电子能量较低,空间分辨率提高,可以增强样品表面信息量、减少荷电现象、减少对样品的损伤; 高加速电压下,入射电子能量较高,图像分辨率较高,且有利于忽略样品表面有机污染物信息,有利于显示样品成分信息。2