水平悬浮区域熔炼法生长单晶
悬浮区域熔炼设备最初用来获得某些高磁致伸缩甲的稀土铁(RFe2)Laves相化合物,特别是那些由包晶反应形成的化合物的单晶。这一方法也同样适用于纯金属,固溶体合金和同份熔化的金属间化合物。Miller和D'silva及Hukin已经证实这种冷坩埚法是成功的1。
用冷坩埚法制备单晶的主要目的是为了避免容器材料对产品的沾污。大多数其它生长单晶的方法,试样(熔化的或接近熔化的)直接与堆祸材料接触。即使将沾污降到最少,一般仍将抑制晶体生长,而且这样生长的晶体,其可靠性也有问题,用钨坩埚按Bridgenian法制备过TbFe2,DyFe2及ErFe2的小单晶,晶体的大小达不到可使用的尺寸,并且在坩锅与试样的界面上还有沾污产物的枝晶。为了制备这些和别的活泼的稀土金间化合物单晶,曾用过其它柑锅材料,但是通常坩埚沾污更严重而很少成功2。
方法及装置使用富氧气体悬浮熔炼含有金属如铜,镍和铅的细碎硫化物原料的方法和装置。在本方法中,将待熔炼原料与助熔剂和氧化气体一起送入悬浮熔炼炉,对悬浮熔炼炉的反应空间的壁进行冷却并生成至少两种熔融相。氧化气体的富氧度至少为40%,以便将悬浮体颗粒温度提高到至少比悬浮体气相温度高200℃,以改善反应空间中反应的反应动力学状况,借助拉铸法制成的,装在反应空间壁中的冷却元件,根据悬浮熔炼炉产量调整反应空间的壁的衬层厚度3。
钴镍单晶磁控形状记忆合金
3417164-钴镍单晶磁控形状记忆合金。其成分为:镍Ni,钴Co,采用方向的籽晶用提拉法或悬浮区域熔炼法,制取轴向为的单晶,将单晶经过高温加热后淬火热处理,再经磁场热处理后得到。本合金的磁致应变量远高于现有商用磁致伸缩材料,同时响应频率快,塑性良好,能进行冷热加工,更具应用价值2。
Mo-3Nb合金单晶的蠕变性能研究了电子束悬浮区域熔炼法制备的晶向为的Mo-3Nb(质量百分数,下同)合金单晶在高温/低应力环境中的蠕变性能及其蠕变机理。结果表明,Mo-Nb合金单晶中,溶质原子Nb的添加增大了原子间扩散阻力,使材料高温稳态蠕变率减小,大大提高了材料的高温抗蠕变性能;在1500℃,10MPa时,Mo-3Nb合金单晶的稳态蠕变率较纯Mo单晶降低了3个数量级。其蠕变机理为扩散蠕变2。